IRF7424TRPBF,低价格IRF7424TRPBF采购

类型	描述	选择
类别	分立半导体产品晶体管 FET、MOSFET 单 FET、MOSFET
太太	英飞凌科技
系列	HEXFET®
包裹	卷带式 (TR) 切带 (CT)
产品状态	积极的
场效应管类型	P沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压 (Vdss)	30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	11A（之）
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	4.5V、10V
Rds On（最大）@Id、Vgs	13.5毫欧@11A，10V
Vgs(th)（最大值）@Id	2.5V@250μA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	110nC@10V
Vgs（最大）	±20V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	4030 pF @ 25V
场效应管特性	-
功耗（最大）	2.5W（的）
工作温度	-55°C ~ 150°C（太焦）
安装类型	表面贴装
供应商设备包	8-SO
包装/箱	8-SOC（0.154"，3.90mm 宽度）
基本产品编号	IRF7424

产品